直流穩(wěn)壓電源高牢靠性元器材禁限用工藝是什么？
2017-10-2 12:29:31??????點(diǎn)擊：
因?yàn)橹绷鞣€(wěn)壓電源高牢靠元器材要飽嘗環(huán)境嚴(yán)格應(yīng)力，且有長(zhǎng)時(shí)刻存儲(chǔ)和作業(yè)要求，一般用于重點(diǎn)工程。所以逐步構(gòu)成了不同運(yùn)用部分對(duì)直流穩(wěn)壓電源電子元器材的禁用和限用結(jié)構(gòu)、資料和工藝要求。非常值得相關(guān)人員重視。
一、禁用工藝
1、禁用焊接點(diǎn)、鍵合點(diǎn)導(dǎo)電膠掩蓋工藝。
導(dǎo)電膠會(huì)變形，會(huì)發(fā)作很大應(yīng)力，拉斷鍵合絲；
掩蓋焊接、鍵合點(diǎn)缺點(diǎn)，構(gòu)成危險(xiǎn)。
2、禁用純錫、純鋅、純鉻資料。
這些資料易成長(zhǎng)晶須（無(wú)重力、真空狀況尤甚），構(gòu)成短路失效。鋅、鉻具有明顯升華物理特性，構(gòu)成金屬膜，導(dǎo)致并聯(lián)電阻，影響光學(xué)元件透光率。
關(guān)于鉛錫焊料問(wèn)題，我們要求鉛錫焊料（包含鉛錫銀焊料）中鉛含量應(yīng)大于3%，這樣的狀況下才不會(huì)長(zhǎng)晶須。
3、非剛性引線禁用電鍍鎳。
電鍍鎳性脆，彎折應(yīng)力會(huì)使鍍鎳層脫落。
4、直流穩(wěn)壓電源非密封元器材內(nèi)外表禁用純銀資料。
直流穩(wěn)壓電源非密封元器材內(nèi)外表采用純銀資料會(huì)構(gòu)成銀搬遷，銀搬遷導(dǎo)致短路失效。
銀搬遷性強(qiáng)，有些部分內(nèi)層銀也操控運(yùn)用（特別是高溫環(huán)境作業(yè)的長(zhǎng)壽命直流穩(wěn)壓電源元器材）
5、禁用金鋁、金錫直觸摸摸結(jié)構(gòu)。
金鋁之間生成金鋁化合物，這種化合物性脆且高電阻率；“錫吃金”——金在錫中有較大的固溶度；
關(guān)于“金脆”：當(dāng)錫中含有金的量在（3% 至19%） 會(huì)有“金脆”現(xiàn)象發(fā)作。當(dāng)外引線鍍金厚度大于2.5μm時(shí)焊裝工藝要采納鍍錫工藝辦法。
6、直流穩(wěn)壓電源無(wú)引線元器材（特別是陶瓷片式電容）禁用在無(wú)合理溫度熱渠道的條件下進(jìn)行二次手藝焊接工藝。
這種焊接會(huì)發(fā)作很大的熱應(yīng)力。
事例2012年某所為xx院供給的產(chǎn)品批次性失效，后查詢這種批次性失效就是由同一個(gè)焊盤(pán)采用了二次焊接組裝工藝構(gòu)成的。
7、直流穩(wěn)壓電源密封空腔元器材禁用干燥劑。
干燥劑會(huì)掩蓋有害剩余物；構(gòu)成有害剩余物。
8、禁用無(wú)外表鈍化有源芯片。
有源芯片在沒(méi)有外表鈍化的時(shí)分，外表會(huì)吸附有害物質(zhì)，影響電參數(shù)的穩(wěn)定性。如漏電流、擊穿電壓。
9、直流穩(wěn)壓電源長(zhǎng)儲(chǔ)空腔密封元器材（電真空器材在外）禁用內(nèi)腔真空結(jié)構(gòu)。
沒(méi)有肯定的密封。“真空”意味著外部環(huán)境無(wú)法操控的氣領(lǐng)會(huì)進(jìn)入內(nèi)腔。特別是對(duì)長(zhǎng)儲(chǔ)武器裝備。
10、禁用封裝后電鍍工藝。
封焊邊際微孔、盲孔吸附酸、堿等有害物質(zhì)，構(gòu)成腐蝕危險(xiǎn)。長(zhǎng)時(shí)刻作業(yè)后，會(huì)發(fā)作銹蝕、漏氣失效。
11、禁用長(zhǎng)寬比不小于2的無(wú)引線外表安裝陶瓷電容。（陶瓷層厚度小于20微米的陶瓷電容）。
陶瓷電容是一片一片的，如果長(zhǎng)寬比過(guò)于大的話，接受應(yīng)力的才能會(huì)很弱。我們經(jīng)歷過(guò)許多這種原因的失效。
12、禁用玻璃粘接芯片和玻璃熔封。
玻璃很脆，抗熱和機(jī)械應(yīng)力功能差。
13、焊裝后的電路板禁用超聲清洗。
焊裝后的電路板里器材的距離絲的固有頻率有可能與超聲的頻率相近，然后發(fā)作共振，引起器材內(nèi)線開(kāi)裂。這是航天X院真實(shí)發(fā)作的比如。
二、限用工藝
1、直流穩(wěn)壓電源元器材制作過(guò)程限用超聲清洗工藝。
國(guó)內(nèi)外很多實(shí)踐證明：不適當(dāng)?shù)某暻逑磿?huì)誘發(fā)或擴(kuò)展被洗部件的微缺點(diǎn)，特別是在銜接面上。
要求：給出超聲清洗工藝條件（如頻率、功率、時(shí)刻等）及充分的無(wú)害實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。
2011年北京某廠產(chǎn)品PIND實(shí)驗(yàn)不過(guò)關(guān)的辦法。源于管殼和不合理的超聲清洗工藝。
2、限用有機(jī)聚合資料。
降解發(fā)作有害氣體，應(yīng)力開(kāi)釋；低氣壓或真空有機(jī)聚合資料會(huì)分化、放氣、脹大影響器材牢靠性。
3、密封腔體內(nèi)限用塑封直流穩(wěn)壓電源元器材（部分航天工程列為禁用工藝）。
塑封直流穩(wěn)壓電源元器材開(kāi)釋有害氣體。
4、剛性構(gòu)件限用電銜接壓接結(jié)構(gòu)（部分航天工程列為禁用結(jié)構(gòu)，國(guó)外宇航禁用）。
溫度對(duì)壓接結(jié)構(gòu)面的觸摸電阻有較大影響。
5、限用倒裝芯片結(jié)構(gòu)（部分航天工程列為禁用工藝）。
作為器材開(kāi)展的趨勢(shì)，目前為止，最大的問(wèn)題是沒(méi)有查驗(yàn)每一銜接界面機(jī)械強(qiáng)度的手法。
6、限用梁式引線結(jié)構(gòu)（部分航天工程列為禁用工藝）。
梁式引線結(jié)構(gòu)的抗機(jī)械應(yīng)力功能差。
7、限用鎳電極陶瓷片式電容器。
我們對(duì)這類產(chǎn)品還不太熟悉，我們還沒(méi)有很多的牢靠性數(shù)據(jù)積累。跟著技術(shù)開(kāi)展，積累了很多牢靠性數(shù)據(jù)之后這類產(chǎn)品作為限用也可能會(huì)隨之撤銷(xiāo)。
8、抗輻照雙極器材限用離子注入、干法刻蝕和等離子清洗工藝。
這種工藝會(huì)發(fā)作外表微損害，然后發(fā)作微缺點(diǎn)。
一、禁用工藝
1、禁用焊接點(diǎn)、鍵合點(diǎn)導(dǎo)電膠掩蓋工藝。
導(dǎo)電膠會(huì)變形，會(huì)發(fā)作很大應(yīng)力，拉斷鍵合絲；
掩蓋焊接、鍵合點(diǎn)缺點(diǎn)，構(gòu)成危險(xiǎn)。
2、禁用純錫、純鋅、純鉻資料。
這些資料易成長(zhǎng)晶須（無(wú)重力、真空狀況尤甚），構(gòu)成短路失效。鋅、鉻具有明顯升華物理特性，構(gòu)成金屬膜，導(dǎo)致并聯(lián)電阻，影響光學(xué)元件透光率。
關(guān)于鉛錫焊料問(wèn)題，我們要求鉛錫焊料（包含鉛錫銀焊料）中鉛含量應(yīng)大于3%，這樣的狀況下才不會(huì)長(zhǎng)晶須。
3、非剛性引線禁用電鍍鎳。
電鍍鎳性脆，彎折應(yīng)力會(huì)使鍍鎳層脫落。
4、直流穩(wěn)壓電源非密封元器材內(nèi)外表禁用純銀資料。
直流穩(wěn)壓電源非密封元器材內(nèi)外表采用純銀資料會(huì)構(gòu)成銀搬遷，銀搬遷導(dǎo)致短路失效。
銀搬遷性強(qiáng)，有些部分內(nèi)層銀也操控運(yùn)用（特別是高溫環(huán)境作業(yè)的長(zhǎng)壽命直流穩(wěn)壓電源元器材）
5、禁用金鋁、金錫直觸摸摸結(jié)構(gòu)。
金鋁之間生成金鋁化合物，這種化合物性脆且高電阻率；“錫吃金”——金在錫中有較大的固溶度；
關(guān)于“金脆”：當(dāng)錫中含有金的量在（3% 至19%） 會(huì)有“金脆”現(xiàn)象發(fā)作。當(dāng)外引線鍍金厚度大于2.5μm時(shí)焊裝工藝要采納鍍錫工藝辦法。
6、直流穩(wěn)壓電源無(wú)引線元器材（特別是陶瓷片式電容）禁用在無(wú)合理溫度熱渠道的條件下進(jìn)行二次手藝焊接工藝。
這種焊接會(huì)發(fā)作很大的熱應(yīng)力。
事例2012年某所為xx院供給的產(chǎn)品批次性失效，后查詢這種批次性失效就是由同一個(gè)焊盤(pán)采用了二次焊接組裝工藝構(gòu)成的。
7、直流穩(wěn)壓電源密封空腔元器材禁用干燥劑。
干燥劑會(huì)掩蓋有害剩余物；構(gòu)成有害剩余物。
8、禁用無(wú)外表鈍化有源芯片。
有源芯片在沒(méi)有外表鈍化的時(shí)分，外表會(huì)吸附有害物質(zhì)，影響電參數(shù)的穩(wěn)定性。如漏電流、擊穿電壓。
9、直流穩(wěn)壓電源長(zhǎng)儲(chǔ)空腔密封元器材（電真空器材在外）禁用內(nèi)腔真空結(jié)構(gòu)。
沒(méi)有肯定的密封。“真空”意味著外部環(huán)境無(wú)法操控的氣領(lǐng)會(huì)進(jìn)入內(nèi)腔。特別是對(duì)長(zhǎng)儲(chǔ)武器裝備。
10、禁用封裝后電鍍工藝。
封焊邊際微孔、盲孔吸附酸、堿等有害物質(zhì)，構(gòu)成腐蝕危險(xiǎn)。長(zhǎng)時(shí)刻作業(yè)后，會(huì)發(fā)作銹蝕、漏氣失效。
11、禁用長(zhǎng)寬比不小于2的無(wú)引線外表安裝陶瓷電容。（陶瓷層厚度小于20微米的陶瓷電容）。
陶瓷電容是一片一片的，如果長(zhǎng)寬比過(guò)于大的話，接受應(yīng)力的才能會(huì)很弱。我們經(jīng)歷過(guò)許多這種原因的失效。
12、禁用玻璃粘接芯片和玻璃熔封。
玻璃很脆，抗熱和機(jī)械應(yīng)力功能差。
13、焊裝后的電路板禁用超聲清洗。
焊裝后的電路板里器材的距離絲的固有頻率有可能與超聲的頻率相近，然后發(fā)作共振，引起器材內(nèi)線開(kāi)裂。這是航天X院真實(shí)發(fā)作的比如。
二、限用工藝
1、直流穩(wěn)壓電源元器材制作過(guò)程限用超聲清洗工藝。
國(guó)內(nèi)外很多實(shí)踐證明：不適當(dāng)?shù)某暻逑磿?huì)誘發(fā)或擴(kuò)展被洗部件的微缺點(diǎn)，特別是在銜接面上。
要求：給出超聲清洗工藝條件（如頻率、功率、時(shí)刻等）及充分的無(wú)害實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。
2011年北京某廠產(chǎn)品PIND實(shí)驗(yàn)不過(guò)關(guān)的辦法。源于管殼和不合理的超聲清洗工藝。
2、限用有機(jī)聚合資料。
降解發(fā)作有害氣體，應(yīng)力開(kāi)釋；低氣壓或真空有機(jī)聚合資料會(huì)分化、放氣、脹大影響器材牢靠性。
3、密封腔體內(nèi)限用塑封直流穩(wěn)壓電源元器材（部分航天工程列為禁用工藝）。
塑封直流穩(wěn)壓電源元器材開(kāi)釋有害氣體。
4、剛性構(gòu)件限用電銜接壓接結(jié)構(gòu)（部分航天工程列為禁用結(jié)構(gòu)，國(guó)外宇航禁用）。
溫度對(duì)壓接結(jié)構(gòu)面的觸摸電阻有較大影響。
5、限用倒裝芯片結(jié)構(gòu)（部分航天工程列為禁用工藝）。
作為器材開(kāi)展的趨勢(shì)，目前為止，最大的問(wèn)題是沒(méi)有查驗(yàn)每一銜接界面機(jī)械強(qiáng)度的手法。
6、限用梁式引線結(jié)構(gòu)（部分航天工程列為禁用工藝）。
梁式引線結(jié)構(gòu)的抗機(jī)械應(yīng)力功能差。
7、限用鎳電極陶瓷片式電容器。
我們對(duì)這類產(chǎn)品還不太熟悉，我們還沒(méi)有很多的牢靠性數(shù)據(jù)積累。跟著技術(shù)開(kāi)展，積累了很多牢靠性數(shù)據(jù)之后這類產(chǎn)品作為限用也可能會(huì)隨之撤銷(xiāo)。
8、抗輻照雙極器材限用離子注入、干法刻蝕和等離子清洗工藝。
這種工藝會(huì)發(fā)作外表微損害，然后發(fā)作微缺點(diǎn)。
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